إشابة ذاتية للألمونيوم في سلك سيليكون نانوي
تُعد أسلاك أشباه الموصلات النانوية كتل بناء بالنسبة إلى الإلكترونيات، ومعالجة المعلومات كميًّا، وتقنيات أخرى نانوية المستوى. وتستخدم الإشابة ـ الدمج المخطط للشوائب ـ للسيطرة على خواص الأسلاك النانوية.
ومؤخرًا، باستخدام مسبار الرسم السطحي الذري بالليزر فوق البنفسجي شديد التركيز، ولَّد أسامة موتانابير وزملاؤه خرائط ذرة بذرة ثلاثية الأبعاد لسلك سيليكون نانوي مفرد محفّز بالألمونيوم، كاشفًا عن توزيع متجانس لشوائب الألمونيوم.
وبرغم أن وجود الألمونيوم بتركيزات تتجاوز الذوبان المتزن للمادة الصلبة، فلا تجمع أو ترسيب. ويوضح المؤلفون هذا من خلال نموذج حركي لنمو السلك النانوي بتدفق خطوي (متدرج) مع وجود ألمونيوم مُذاب محتجز عند حواف الخطوة. وترى هذه الدراسة أساليب ممكنة للتحكم في حقن المحفز، وتفصيل تكوين وخواص الأسلاك النانوية؛ لإنجاز خصائص محددة.
وقد برز الألمونيوم كمحفز مؤثر في صناعة أسلاك السيليكون النانوية الوظيفية، بديلًا عن الذهب، وكذلك يعمل الألمونيوم كمادة للدمج المحكم للشوائب.
ساعد في نشر والارتقاء بنا عبر مشاركة رأيك في الفيس بوك